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title: "Temps Montée"
description: "Résumez cet article :ChatGPTPerplexityGrokClaudeLe temps de montée (rise time, noté tr) est la durée nécessaire pour qu’un signal électrique passe de 10 % à 90 % de sa valeur finale lors d’une commutation. Il caractérise la rapidité d’un composant ou d’un circuit, et détermine directement le spectre fréquentiel des perturbations électromagnétiques générées. Temps de montée […]"
url: "https://www.installation-renovation-electrique.com/glossaire-electricite/temps-montee/"
author: "Raphaël"
date: "2025-12-08T07:01:34+01:00"
modified: "2026-06-29T08:16:34+02:00"
lang: "fr_FR"
categories: ["Glossaire électricité"]
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# Temps Montée

Le temps de montée (rise time, noté tr) est la durée nécessaire pour qu'un signal électrique passe de 10 % à 90 % de sa valeur finale lors d'une commutation. Il caractérise la rapidité d'un composant ou d'un circuit, et détermine directement le spectre fréquentiel des perturbations électromagnétiques générées.

## Temps de montée typiques par composant et application

| Composant / Technologie | tr typique | dV/dt associé (400V) | Impact CEM / précaution |
|---|---|---|---|
| Transistor BJT NPN général (BC547) | 50-200 ns | < 10 kV/µs | Faible rayonnement — convient pour commutation audio, relais, signaux lents |
| MOSFET Si (IRF840) | 20-100 ns | 4-20 kV/µs | Hacheur DC-DC, variateur de vitesse → snubber RC conseillé sur câble long |
| IGBT (SKM75GB128D) | 150-500 ns | 1-5 kV/µs | Onduleur industriel → filtre sinus ou choke dU/dt en sortie pour câble moteur > 10 m |
| MOSFET SiC (C3M0065090D) | 5-30 ns | 10-80 kV/µs | Chargeur rapide VE, PFC → blindage strict, gate resistor augmenté pour ralentir le front si nécessaire |
| MOSFET GaN (GS61008P) | 1-5 ns | > 100 kV/µs | Perturbations EM intenses — PCB compact obligatoire, blindage + filtre EMI strict, driver dédié |
| Diode Schottky (1N5819) | 1-5 ns (recouvrement inverse quasi nul) | — | Redresseur HF à faibles pertes de commutation — pas de courant de recouvrement inverse |

## Relation entre temps de montée et spectre CEM

La richesse fréquentielle d'un signal trapézoïdal est inversement proportionnelle à son temps de montée. La fréquence au-delà de laquelle le spectre décroît en −40 dB/décade (enveloppe de Fourier d'un signal de commutation) est :

fmax ≈ 0,35 / tr

Exemple : tr = 10 ns → fmax = 35 MHz. Le câble de sortie d'un variateur GaN rayonne donc efficacement jusqu'à 35 MHz et au-delà, excitant les bandes FM, DAB et GSM. Un front IGBT à tr = 200 ns limite le rayonnement à 1,75 MHz — bien moins problématique mais toujours au-dessus des harmoniques basse fréquence du secteur.

## Application dans une installation réelle

Dans une [GTL](https://www.installation-renovation-electrique.com/installation-electrique/tableau-electrique/gtl/gtl-tout-savoir/) accueillant un variateur de vitesse GaN ou SiC, les câbles de sortie moteur agissent comme des antennes rayonnantes si le temps de montée est inférieur à 50 ns. La [NF C 15-100](https://www.installation-renovation-electrique.com/normes-electriques/norme-electricite-nf-c-15-100/) impose la séparation des canalisations de puissance et de signaux de au moins 30 cm, mais cette distance est insuffisante à des dV/dt > 50 kV/µs. La solution complète associe : câble moteur blindé (blindage relié aux deux extrémités), choke de [mode commun](https://www.installation-renovation-electrique.com/glossaire-electricite/mecanismes-electriques/mode-commun/ "Mode commun") en sortie variateur et, si nécessaire, augmentation de la résistance de grille (gate resistor) pour allonger volontairement tr et réduire le dV/dt.

 **⚠ Compromis fondamental :** réduire le temps de montée améliore le rendement (moins d'énergie dissipée pendant la commutation = pertes de switching réduites), mais aggrave les émissions CEM et les contraintes sur l'isolation du câble moteur (dU/dt élevé). En pratique, choisir le tr le plus long compatible avec la fréquence de découpage et le rendement cible — inutile de viser 5 ns si 50 ns suffit pour les performances requises. 

## Questions fréquentes

### Comment mesurer le temps de montée réel d'un MOSFET de puissance en commutation ?

Placer une sonde de tension différentielle directement aux bornes drain-source du MOSFET et déclencher l'oscilloscope sur le front montant. Utiliser un oscilloscope de bande passante au moins 5× supérieure à fmax anticipé (ex. 200 MHz pour un MOSFET IGBT à tr = 200 ns, 1 GHz pour du GaN à 1 ns). La longueur de câble entre le composant et la sonde introduit une inductance parasite qui déforme le front : minimiser la longueur des boucles de mesure. Un clip de courant (Rogowski) sur la grille permet de confirmer le profil de commande.

### Un snubber RC réduit-il le temps de montée ou le dV/dt aux bornes du moteur ?

Le snubber RC placé en parallèle sur le MOSFET réduit le dV/dt aux bornes du composant en absorbant une partie de l'énergie de commutation dans le condensateur. Mais il n'agit pas sur le dV/dt en bout de câble moteur long : l'onde de tension se propage jusqu'au moteur et se réfléchit si l'impédance n'est pas adaptée. Pour le câble moteur, une choke dU/dt en série ou un filtre sinus est nécessaire en complément.

### La résistance de grille (gate resistor) peut-elle servir à ajuster le temps de montée ?

Oui, c'est son rôle principal dans les applications de puissance. Augmenter Rgate ralentit la charge de la capacité de grille → tr augmente → dV/dt réduit → perturbations CEM atténuées. Contrepartie : les pertes de commutation augmentent (le composant reste plus longtemps en zone linéaire). En pratique, Rgate est dimensionnée par essais successifs pour trouver le compromis optimal entre CEM et rendement, souvent entre 5 Ω et 47 Ω selon la puissance.

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*Source : [www.installation-renovation-electrique.com](https://www.installation-renovation-electrique.com/glossaire-electricite/temps-montee/)*